Samsung afirma que la próxima era de DRAM será un “gran avance”
Samsung está preparando una tecnología bastante innovadora: apilar memoria en una CPU o GPU para mejorar potencialmente drásticamente el rendimiento. Cambiar a esta técnica puede afectar el rendimiento, la eficiencia energética y la capacidad. Desafortunadamente, muchos de nosotros nunca experimentaremos directamente los beneficios de esto, ya que Samsung utilizará su memoria de alto ancho de banda (HBM), lo que significa que no la encontraremos ni siquiera en las mejores tarjetas gráficas disponibles.
La tecnología en cuestión implica un nuevo método de empaquetado 3D que pertenece a la plataforma Advanced Interconnect Technology (SAINT) de Samsung, y esta última versión se denomina SAINT-D. Cada variante implica una tecnología de apilamiento 3D diferente, con SAINT-S apilando el dado SRAM encima del dado lógico; Lógica de apilamiento SAINT-L; y finalmente, SAINT-D apila memoria HBM sobre chips lógicos, es decir, CPU o GPU.
SAINT-D introduce apilar HBM verticalmente encima del procesador y conectarlo mediante un sustrato entre los dos chips. Este es un gran cambio con respecto al actual enfoque de empaquetado 2.5D de Samsung, que conecta los chips HBM a la GPU horizontalmente con un intercalador de silicio.
La introducción de envases 3D podría ser el primer paso hacia el lanzamiento del HBM4 de próxima generación de Samsung. La propia Samsung se refiere a SAINT-D como un "avance en DRAM para HPC e IA". La empresa también describió los beneficios de utilizar esta técnica, tal como lo cita The Korea Economic Daily : “El empaquetado 3D reduce el consumo de energía y los retrasos en el procesamiento, mejorando la calidad de las señales eléctricas de los chips semiconductores”.
Como se anunció durante el Samsung Foundry Forum 2024, la compañía ofrecerá su nuevo embalaje 3D HBM como parte de un servicio llave en mano. Esto significa una solución de extremo a extremo en la que Samsung producirá los chips HBM y los integrará en GPU para empresas sin fábrica. Como se dice que SAINT-D hará su debut este año, y el modelo HBM4 de próxima generación llegará en 2025, este nuevo método podría causar un gran revuelo en los casos de uso de HPC muy pronto, incluidos varios usos de IA.
El avance de Samsung no significa mucho para los consumidores… todavía no. La memoria HBM, como su propio nombre indica, se utiliza en entornos de alto rendimiento y, para colmo, esta tecnología de empaquetado 3D es, según se informa, incluso más cara de producir que sus predecesoras. Sin embargo, 3D VRAM es un concepto interesante. Quizás, si funciona bien en los centros de datos, algún día llegue a nuestras PC.